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J-GLOBAL ID：202502234030904719   整理番号：25A0632954

金属コア基板を用いて実現した多並列GaNパワー半導体を有する高電力密度インバータの大電力検証

High-power verification of a high-power density inverter with multiple parallel GaN power semiconductors realized using a metal core substrate

著者 (4件)： 山中駿輔 (岡山大 大学院環境生命自然科学研究科) ,  梅谷和弘 (岡山大 大学院環境生命自然科学研究科) ,  石原將貴 (岡山大 大学院環境生命自然科学研究科) ,  平木英治 (岡山大 大学院環境生命自然科学研究科)
資料名： 電気学会研究会資料(Web)  (Papers of Technical Meeting, IEE Japan (Web))
号： PE-25-044-078/PSE-25-076-110/SPC-25-091-125 電力技術研究会/電力系統技術研究会/半導体電力変換研究会  ページ： 177-182 (WEB ONLY)  発行年： 2025年03月03日 
JST資料番号： U2358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNパワー半導体は,オン抵抗が低く,スイッチングが高速であるため,高電力密度のEVインバータとして期待されている。しかしながら,チップサイズが小さいため放熱が制限され,スイッチングが高速であるため寄生インダクタンスの影響を受けやすく,並列構成での電流バランスが困難である。本研究では,従前の研究で提案された方法を使用して,金属コア基板を使用した両面冷却により放熱を改善し,寄生インダクタンスを低減することで,これらの問題に対処した。スナバコンデンサはスイッチングサージを抑制するために使用されているが,電流の不均衡を引き起こす可能性がある。本研究では,シミュレーションと実験により,金属コア基板がこれらの問題を効果的に緩和することを確認した。プロトタイプの3相インバータを16kVAでテストし,安定した熱動作と32kVA/Lの高電力密度を実証した。損失推定の結果,インバータは最大25kVAの出力をサポートできることが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *GaNパワーデバイス ,  *インバータ ,  寄生インダクタンス ,  エネルギー密度 ,  電気試験 ,  金属板 ,  基板 ,  電気自動車
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *スナバコンデンサ ,  *金属コア基板 ,  高電力密度 ,  大電力テスト

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： コア ,  GaN ,  パワー半導体 ,  高電力密度 ,  インバータ ,  大電力 ,  検証