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J-GLOBAL ID：202502237388889988   整理番号：25A1419133

キャリア密度制御を目指したSiドープβ-Ga₂O₃薄膜の評価

Characterization of Si-doped β-Ga₂O₃ thin films for carrier density control

著者 (8件)： 池上悠登 (九大 工) ,  MYLO VALAPPIL Sreenath (九大) ,  WANG Y. (九大) ,  御園樹 (九大) ,  ZKRIA Abdelrahman (九大) ,  楢木野宏 (九大) ,  片宗優貴 (九州工大 工) ,  吉武剛 (九大)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)  (Abstract Book. Asian Applied Physics Conference (Web))
巻： 50  ページ： 20 (WEB ONLY)  発行年： 2024年12月07日 
JST資料番号： U0757A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  *β-酸化ガリウム(III) ,  *酸化物薄膜 ,  X線回折 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： XRD ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： キャリア ,  密度制御 ,  Si ,  ドープ ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  評価