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J-GLOBAL ID：202502245618502261   整理番号：25A0684708

炭化水素分子イオン注入Siウェーハ表面のアモルファス形態に対する再結晶化モデル解析

Recrystallization Model Analysis for Amorphous Morphology in Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Si Wafer Surface

著者 (10件)： 小林弘治 (SUMCO) ,  小林弘治 (岡山県大 大学院) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  末岡浩治 (岡山県大 情報工) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.24a-12F-10  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.我々は,CMOSイメージセンサ(CIS)向け基板として,炭化水素分子イオン注入エピタキシャルシリコン(Si)ウェーハの研究開発をおこなっている.これまでの研究により,重金属へのゲッタリング能力,注入領域の水素によるSiO2/S...【本文一部表示】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *結晶化 ,  *再結晶 ,  *ケイ素 ,  酸素 ,  *水素 ,  *イオン注入 ,  二酸化ケイ素 ,  *炭化水素 ,  *非晶質 ,  結晶度 ,  *ウエハ【IC】 ,  三次元 ,  X線光電子分光法 ,  *シリコンウエハ

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭化 ,  水素分子イオン ,  注入 ,  Siウェーハ ,  アモルファス ,  形態 ,  再結晶化 ,  モデル解析