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J-GLOBAL ID：202502248803935146   整理番号：25A0735068

粉体ターゲットを用いたスパッタ法で作製したHfS₂膜のH₂Sアニールによる膜質改善

Improvement of film quality by H₂S annealing for HfS₂ film prepared by sputtering method using powder target

著者 (8件)： 石川太一 (明治大 理工) ,  堀幸妃 (明治大 理工) ,  堀幸妃 (産業技術総合研) ,  岡田直也 (産業技術総合研) ,  横川凌 (明治大 理工) ,  横川凌 (明大 MREL) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明大 MREL)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.19a-A31-5  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 背景:遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は、次世代電子デバイスへの応用が期待されている二次元層状物質である。中でもHfS2は高電子移動度かつ約1.2 eVのバンドギャップを持つなど次世代チャネル材料として魅力的な特性を有している。一方で、...【本文一部表示】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  化学結合 ,  *焼なまし ,  *ターゲット ,  半導体 ,  *ハフニウム ,  不動態化 ,  *硫化水素 ,  分圧 ,  二次元 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ ,  シリコンウエハ ,  薄膜形成

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 粉体 ,  ターゲット ,  スパッタ法 ,  作製 ,  H2S ,  アニール ,  膜質