文献

J-GLOBAL ID：202502255509156331   整理番号：25A0735576

InGaN単一量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長依存性

Detailed analysis of wavelength dependence of photoluminescence lifetime in an InGaN single quantum well

著者 (5件)： 新保樹 (金沢工大 大学院) ,  土佐宏樹 (金沢工大 大学院) ,  山口敦史 (金沢工大 大学院) ,  岩満一功 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冨谷茂隆 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.19p-C42-13  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 窒化物半導体は,原理的に深紫外から赤外までの幅広い波長域の発光デバイスを実現できる可能性があり,この魅力的な特性から研究開発が活発に行われている.しかしながら,窒化物半導体のデバイスシミュレータは市販されているものの,Si半導体素子における...【本文一部表示】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  再結合 ,  赤外線 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  シミュレータ ,  ケイ素 ,  *波長 ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  *波長依存性 ,  深紫外線 ,  *単一量子井戸 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： 非放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  単一量子井戸 ,  フォトルミネセンス ,  寿命 ,  波長依存性