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J-GLOBAL ID：202502259361066607   整理番号：25A0733715

Si系分子イオン注入エピタキシャルウェーハのFeゲッタリング挙動(2)

Fe gettering behavior of SiH_x and C₂H_y mixture molecular-ion-implanted silicon epitaxial wafer (2)

著者 (7件)： 廣瀬諒 (SUMCO CORP.) ,  柾田亜由美 (SUMCO CORP.) ,  門野武 (SUMCO CORP.) ,  小林弘治 (SUMCO CORP.) ,  鈴木陽洋 (SUMCO CORP.) ,  永友翔 (SUMCO CORP.) ,  栗田一成 (SUMCO CORP.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.17a-B2-7  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】CMOSイメージセンサの高感度化に寄与することを目的として、分子イオン注入技術を用いた近接ゲッタリング技術の開発に取り組んでいる。Si系分子イオン注入技術はSiHx+およびC2Hy+をイオンビームに混合して注入することで、炭素ドーズ...【本文一部表示】

シソーラス用語： イオンビーム ,  エピタクシー ,  熱処理 ,  構造解析 ,  *ケイ素 ,  *鉄 ,  *イオン注入 ,  重金属 ,  捕獲 ,  雑音低減 ,  画像分析 ,  *ゲッタリング ,  高速Fourier変換 ,  シリコンウエハ ,  *分子イオン

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  Fe ,  ゲッタリング ,  挙動