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J-GLOBAL ID：202502277857469198   整理番号：25A0735881

中性子線照射が高Q値シリコンナノ共振器に与える吸収損失の評価

Evaluation of absorption loss in high-Q Si nanocavities induced by neutron irradiation

著者 (5件)： 石原歩 (大阪公大 院) ,  奥野泰希 (理研) ,  高浜渉 (大阪公大 院) ,  大塚亘晟 (大阪公大 院) ,  高橋和 (大阪公大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.20a-C42-9  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 序論.現在,人工衛星が取り扱うデータ量は急激に増加しており,今後は衛星機内で行う情報処理を,省エネルギーで高速化していくことが重要となる.このため,地上産業で利用されているシリコントランシーバ技術を,人工衛星に応用することが検討されている[...【本文一部表示】

シソーラス用語： γ線照射 ,  吸収係数 ,  *共振器 ,  *中性子 ,  光吸収 ,  情報処理 ,  *ケイ素 ,  人工衛星 ,  放射線 ,  ドーピング ,  *Q値 ,  宇宙空間 ,  *微小共振器 ,  シリコンフォトニクス ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性子線 ,  Q値 ,  シリコン ,  ナノ共振器 ,  吸収損失 ,  評価