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J-GLOBAL ID：202502280627601278   整理番号：25A3042921

ダイヤモンド基板上に成膜したエピタキシャル成長β-Ga₂O₃のS/TEMによる構造解析

Structure analysis by S/TEM for β-Ga₂O₃ epitaxial films deposited on diamond substrates

著者 (10件)： 御園樹 (九大 大学院) ,  根北翔 (九大 大学院) ,  GAO H. (九大) ,  池上悠登 (九大 大学院) ,  M. V. Sreenath (九大 大学院) ,  WANG Y. (九大 大学院) ,  片宗優貴 (九州工大 工) ,  楢木野宏 (九大 大学院) ,  ZKRIA A. (九大 大学院) ,  吉武剛 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.9p-N105-8  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *β-酸化ガリウム(III) ,  *エピタクシー ,  透過型電子顕微鏡 ,  半導体素子 ,  熱伝導率 ,  ヘテロ構造 ,  格子不整合 ,  *PN接合 ,  ヘテロエピタクシー ,  X線回折 ,  *結晶構造解析 ,  *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  バンド構造 ,  結晶度 ,  表面粗さ ,  *三次元 ,  *成長 ,  *抑制 ,  集束イオンビーム ,  絶縁耐力
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  TEM【顕微鏡】 ,  *β-酸化ガリウム ,  *エピタキシャル成長 ,  *ダイヤモンド基板 ,  パワーデバイス ,  結晶性 ,  *三次元成長抑制 ,  収束イオンビーム ,  *薄膜化

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド基板 ,  成膜 ,  エピタキシャル成長 ,  β-Ga2O3 ,  TEM ,  構造解析