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J-GLOBAL ID：202502287581659164   整理番号：25A0684709

SiO₂/Si界面における歪状態変化に対する水素の影響

Impact of Hydrogen on Strain Evolution at SiO₂/Si Interface

著者 (9件)： 鈴木陽洋 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  高橋和敏 (佐賀大 シンクロトロン光応用研究セ) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.24a-12F-11  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.CMOSイメージセンサ(CIS)の高品質化には,フォトダイオードに近接するシリコン酸化膜(SiO2)/シリコン(Si)構造における,界面欠陥(Pbセンター)に起因するノイズ発生の抑制が必須である.既に多くの先行研究で,Pbセン...【本文一部表示】

シソーラス用語： ESR【磁気共鳴】 ,  エピタクシー ,  *界面 ,  シンクロトロン ,  シンクロトロン放射 ,  相互作用 ,  熱処理 ,  鉛 ,  *ケイ素 ,  *水素 ,  イオン注入 ,  *二酸化ケイ素 ,  炭化水素 ,  スペクトル ,  シリコンウエハ

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  Si ,  界面 ,  水素