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J-GLOBAL ID：202602275349578915   整理番号：26A0280885

In組成の異なるInGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の温度および波長依存性

Temperature and wavelength dependence of photoluminescence lifetime in InGaN quantum wells with different alloy composition

著者 (7件)： 山形梨里花 (金沢工大) ,  畑中颯真 (金沢工大) ,  山岸颯矢 (金沢工大) ,  新保樹 (金沢工大) ,  山口敦史 (金沢工大) ,  岩満一功 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冨谷茂隆 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 125  号： 257(ED2025 23-40)  ページ： 65-68 (WEB ONLY)  発行年： 2025年11月13日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化インジウムガリウム ,...
準シソーラス用語： InGaN ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  フォトルミネセンス ,  寿命 ,  波長依存性