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J-GLOBAL ID:202602291264901529   整理番号:26A0761743

「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(12)」~材料科学・材料工学の基礎基盤技術としての顕微鏡法~(11)半導体 窒化物半導体ナノ構造のSEM-CLスペクトルイメージングおよび波長角度分解測定

Spectral Imaging and Wavelength- and Angle-Resolved SEM-CL of Nitride Semiconductor Nanostructures
著者 (5件):
資料名:
巻: 65  号:ページ: 22(J-STAGE)  発行年: 2026年01月01日 
JST資料番号: F0163B  ISSN: 1884-5843  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・窒化ガリウム(GaN)を代表とする窒化物半導体は,照明や光...
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分類 (2件):
分類
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顕微鏡法  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (16件):
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