特許

J-GLOBAL ID：202603020056187322

多分子膜、多分子膜の製造方法及び積層体

発明者： 中村 栄一 ,  原野 幸治 ,  プリンス ラバット ,  関根 良輔 ,  内田 光 ,  亀井 恒
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (4件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-105814
公開番号（公開出願番号）：特開2023-004241
特許番号：特許第7799304号
出願日： 2021年06月25日
公開日（公表日）： 2023年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の単分子層と、 前記第1の単分子層上に配される第2の単分子層と、 を含む多分子膜であって、 前記第1の単分子層及び前記第2の単分子層が、下記式(1)で表されるフラーレン誘導体分子に由来する構造を有する、多分子膜。(式(1)中、R1は、各々独立に、水素結合性基を有する有機基であり、R2は、水素原子、置換基を有してもよいC1~C10炭化水素基又はメタロセン基を表す。)

IPC (6件)：

C01B 32/152 ( 201 7.01) ,  B32B 9/00 ( 200 6.01) ,  H01J 37/20 ( 200 6.01) ,  H01M 10/30 ( 200 6.01) ,  H01M 8/1016 ( 201 6.01) ,  H01M 8/1069 ( 201 6.01)

FI (6件)：

C01B 32/152 ,  B32B 9/00 A ,  H01J 37/20 A ,  H01M 10/30 Z ,  H01M 8/101 ,  H01M 8/106

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-272516   出願人：AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社