単結晶シリコンインゴットの高能率貫通穴放電加工に関する研究

文献

J-GLOBAL ID：200902111117624356 整理番号：98A0094492

High Efficiency Penetration Boring of Single Crystalline Silicon Ingot by EDM.

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巻： 63 号： 12 ページ： 1725-1729 発行年： 1997年12月
JST資料番号： F0268A ISSN： 0912-0289 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

外力がほとんど作用しない放電加工の利点を利用した標記加工を行...

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特殊加工

引用文献 (5件)：

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