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J-GLOBAL ID：200902168046678320   整理番号：99A1008625

集束イオンビーム装置を用いた微細MOSFET素子の作製及びクーロンブロッケード現象

著者 (8件)： 泉川健太 (名古屋大 大学院) ,  桜井雅和 (名古屋大 大学院) ,  加賀和孝 (名古屋大 大学院) ,  近藤博基 (名古屋大 大学院) ,  馬場伸一 (名古屋大 大学院) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院) ,  財満鎮明 (名古屋大) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 60th  号： 1  ページ： 138  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集束イオンビーム ,  微細 ,  MOSFET ,  作製 ,  クーロンブロッケード ,  現象