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J-GLOBAL ID:200902208506718467   整理番号:06A0630653

触媒化学蒸着によるSiN不動態化のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの電気的性質にあたえる効果

Effects of SiN passivation by catalytic chemical vapor deposition on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 033714-033714-6  発行年: 2006年08月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  トランジスタ 

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