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文献
J-GLOBAL ID:200902232496428862   整理番号:09A0995258

シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定

著者 (11件):
資料名:
巻: 70th  号:ページ: 400  発行年: 2009年09月08日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の薄膜 

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