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J-GLOBAL ID：200902238794542382   整理番号：05A0319472

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの固有輸送遅延及び有効電子速度

Intrinsic Transit Delay and Effective Electron Velocity of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

著者 (4件)： SUEMITSU Tetsuya (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIOJIMA Kenji (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMURA Takashi (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 1-7  ページ： L211-L213  発行年： 2005年02月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタに関する遅延時間分...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (6件)：

• 1) C. R. Bolognesi, A. C. Kwan and D. W. DiSanto: Int. Electron Device Meeting, Technol. Dig., San Francisco, CA, USA, 2002, p. 685.
• 2) T. Inoue, Y. Ando, K. Kasahara, Y. Okamoto, T. Nakayama, H. Miyamoto and M. Kuzuhara: IEICE Trans. Electron. E86-C (2003) 2065.
• 3) T. Palacios, S. Rajan, L. Shen, A. Chakraborty, S. Heikman, S. Keller, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: 62nd Device Research Conf., Dig., Notre Dame, IN, USA, 2004, p. 75.
• 4) T. Suemitsu: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 669.
• 5) H. Aoki: IEICE Trans. Electron. J73C-II (1990) 432 [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  固有 ,  輸送 ,  遅延 ,  電子速度