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文献
J-GLOBAL ID:200902243550136823   整理番号:06A1031898

181GHzの電流利得遮断周波数をもつ30nmゲートAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

30-nm-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with a Current-Gain Cutoff Frequency of 181 GHz
著者 (4件):
資料名:
巻: 45  号: 42-45  ページ: L1111-L1113  発行年: 2006年11月25日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
分類
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トランジスタ 
引用文献 (10件):

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