文献

J-GLOBAL ID：200902256201619889   整理番号：08A0441128

Nb/n-InGaAs/p-InP超伝導発光ダイオードの発光特性

著者 (11件)： 林雄二郎 (北大 電子科研) ,  田中和典 (浜ホト 中研) ,  田中和典 (JST-CREST) ,  赤崎達志 (JST-CREST) ,  赤崎達志 (NTT 基礎研) ,  倉光周平 (北大 工) ,  定昌史 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (JST-CREST) ,  末宗幾夫 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1452  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超伝導 ,  *発光ダイオード ,  *ニオブ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *リン化インジウム ,  ヘテロ接合 ,  *Cooper対 ,  近接効果 ,  エレクトロルミネセンス ,  注入 ,  温度依存性 ,  超放射 ,  活性層 ,  *再結合放射 ,  化合物半導体

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (6件)： Nb ,  InGaAs ,  InP ,  超伝導 ,  発光ダイオード ,  発光特性