文献
J-GLOBAL ID:200902259438990521   整理番号:09A0995257

シリコン原子空孔評価:試料への直接塗布によるP(VDF/TrFE)圧電薄膜の作成

著者 (8件):
資料名:
巻: 70th  号:ページ: 400  発行年: 2009年09月08日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥  ,  高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の薄膜 

前のページに戻る