文献

J-GLOBAL ID：200902263889375704   整理番号：04A0692770

ストレス印加したゲートSiO₂膜におけるホール捕獲位置の同定

著者 (6件)： 渡辺行彦 (豊田中研) ,  世古明義 (名古屋大 大学院) ,  近藤博基 (名古屋大 大学院) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院) ,  財満鎮明 (名古屋大 大学院) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 2  ページ： 694  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0692770&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ストレス ,  印加 ,  ゲート ,  SiO2 ,  ホール ,  捕獲 ,  同定