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J-GLOBAL ID：200902276293559977   整理番号：09A0720258

Siデルタドープしたm面AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ

Si Delta-Doped m-Plane AIGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors

著者 (7件)： FUJIWARA Tetsuya (Univ. California, CA, USA) ,  FUJIWARA Tetsuya (ROHM Co. Ltd., Kyoto, JPN) ,  KELLER Stacia (Univ. California, CA, USA) ,  HIGASHIWAKI Masataka (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 6  ページ： 061003.1-061003.3  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相蒸着による成長させた非極性Siδドープm面AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のトランジスタ動作を実証した。ゲート-ソース電圧(V_gs)=+1Vで最大ドレイン-ソース340mA/mm,閾値電圧=-3V,V_gs=-1.4Vで最大相互コンダクタンス95S/mmを得た。Si δドーピングを増すと,シートキャリア濃度が3.1×10¹²cm^-2から4.8×10¹²cm^-2に上昇した。Si δドーピングによりシートキャリア濃度を十分に制御できることを,非極性m面AlGaN/GaNヘテロ接合で観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： δドーピング ,  *FET【トランジスタ】 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  半導体材料 ,  *化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  MOCVD ,  相互コンダクタンス ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  キャリア濃度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• KHAN, M. A. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 1786
• WU, Y.-F. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1438
• YOSHIDA, S. Solid-State Electron. 2003, 47, 589
• DORA, Y. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 713
• UEMOTO, Y. IEEE Trans. Electron Devices. 2007, 54, 3393

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  デルタドープ ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ