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J-GLOBAL ID：200902298739859086   整理番号：08A0701579

逆バイアスされたAlGaN/GaNヘテロ構造における弾性表面波

Surface Acoustic Waves in Reverse-Biased AlGaN/GaN Heterostructures

著者 (4件)： SHIGEKAWA Naoteru (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  NISHIMURA Kazumi (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  HOHKAWA Kohji (Kanagawa Inst. Technol., Atsugi, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 7  ページ： 1585-1591  発行年： 2008年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)サファイア基板上の逆バイアスされたAlGaN/GaNヘテロ構造における弾性表面波(SAW)の特性を研究した。研究はくし型のショットキー接触と抵抗接触で構成されSAWフィルタにより行なった。測定したSパラメータおける基本と高次の周波数の信号は各々RayleighモードとSezawaモードに起因する。SezawaモードのオンセットはRayleighモードのオンセットより深く,オンセットの差はSAWの波長が長くなるとともに大きくなる。これらの結果は逆バイアス電圧または二つのモード間のSAWエネルギー配分の差に起因するくし型トランスデューサの入力キャパシタンスの変化により説明できる。

シソーラス用語： *弾性表面波 ,  *素子構造 ,  バイアス ,  基板 ,  SAWフィルタ ,  波長
準シソーラス用語： キャパシタンス ,  サファイア基板 ,  トランスデューサ ,  逆バイアス ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  弾性表面波