特許
J-GLOBAL ID：200903012164885457
半導体受光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190042
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 横方向からの光入射に対し、直接光結合で高効率でありながら、信頼性の高い半導体受光素子を提供することにある。【解決手段】 第1の導電形を有する第1の半導体層12、第2の導電形を有する第2の半導体層14及び前記第1の半導体層12と第2の半導体層14に挟まれた光受光層13とからなる成長層を基板15上に設けてなる半導体受光素子において、前記成長層12,13,14及び前記基板15の端面には、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の導電形を有する第1の半導体層、第2の導電形を有する第2の半導体層及び前記第1の半導体層と第2の半導体層に挟まれた光受光層とからなる成長層を基板上に設けてなる半導体受光素子において、前記成長層及び前記基板の端面には、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
出願人引用 (3件)
-
特開平3-105985
-
特開昭63-246626
-
特開平3-290606
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
