半導体受光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000098
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195809
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】屈折型半導体受光素子とこれに対向して設置された光導波路よりなる半導体受光装置において、同一層構造及び同一メサ角構成の屈折型半導体受光素子を用いて用途にあわせた受光感度の調整が可能となる光受光装置を提供することにある。【解決手段】光受光層13を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11を設けることにより、該光入射端面11で入射光を屈折させて、前記光受光層13を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子とこれに対向して設置された光導波路18よりなる半導体受光装置において、屈折型半導体受光素子と光導波路18の間が固体または液体19で埋められていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子とこれに対向して設置された光導波路よりなる半導体受光装置において、屈折型半導体受光素子と光導波路の間が固体又は液体で埋められていることを特徴とする半導体受光装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 31/0232

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 31/02 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-105985
半導体光検出装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-114629 出願人：富士通株式会社
特開平2-043777

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審査官引用 (1件)

特開平3-105985

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