特許

J-GLOBAL ID：200903034731897996

化合物半導体装置の製法

発明者： 深野 秀樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349848
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 第1の導電型を有する化合物半導体層と、その化合物半導体層にそれとの間で端縁を外表面上に露出している接合を形成するように連接し且つ第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する化合物半導体層とを有する化合物半導体装置本体を有し、そして、その化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜が形成されている構成を有する化合物半導体装置を、化合物半導体装置本体と保護膜との間に自然酸化膜が介挿されている構成を有さず、従って、接合を流れる電流が、自然酸化膜を介して、漏れ電流として流れないものとして、製造する。【構成】 化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜を形成する工程前において、化合物半導体装置本体の外表面上に形成されている自然酸化膜を、弗素を含む溶液または弗素を含むガスもしくはそれが励起されているガスを用いて除去させる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する第1の化合物半導体層と、上記第1の化合物半導体層にそれとの間で端縁を外表面上に露出している接合を形成するように連接し且つ第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2の化合物半導体層とを有する化合物半導体装置本体を用意する工程と、上記化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜を形成する工程とを有する化合物半導体装置の製法において、上記化合物半導体装置本体を用意する工程後、上記保護膜を形成する工程前において、上記化合物半導体装置本体の外表面上に形成されている自然酸化膜を、弗素を含む溶液または弗素を含むガスもしくはそれが励起されているガスを用いて除去させる工程を有することを特徴とする化合物半導体装置の製法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-072632
  
• 特開平4-230033
  
• 特開平4-072632
  
• 特開平4-230033