特許

J-GLOBAL ID：200903042928661911

半導体装置

発明者： 竹内 日出雄 ,  山本 佳嗣
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-052409
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212231
出願日： 2008年03月03日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】チップ面積を大きくすることなく、十分なキャパシタンスおよび耐圧を確保することができる半導体装置を得る。【解決手段】SiC基板11上に、AlN層12、GaN層13およびAlGaN層14が順番に形成されている。AlN層12の上面の一部を露出するように、GaN層13およびAlGaN層14に第1の開口15が形成されている。また、第1の開口15と対向する位置に、AlN層12の下面の一部を露出するように、SiC基板11に第2の開口16が形成されている。第1の開口15内においてAlN層12の上面に上部電極17が形成され、第2の開口16内においてAlN層12の下面に下部電極18が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にAlN層、GaN層およびAlGaN層が順番に形成された半導体装置であって、 前記AlN層の上面の一部を露出するように、前記GaN層および前記AlGaN層に第1の開口が形成され、 前記第1の開口と対向する位置に、前記AlN層の下面の一部を露出するように、前記半導体基板に第2の開口が形成され、 前記第1の開口内において前記AlN層の上面に上部電極が形成され、 前記第2の開口内において前記AlN層の下面に下部電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L27/04 C

Fターム (23件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038BH15 ,  5F038CA12 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-030360
  
• 特開平1-218054
  
• 監視制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-015299   出願人：株式会社エヌ・ティ・ティファシリティーズ, 山武ハネウエル株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-069058   出願人：富士通株式会社