特許

J-GLOBAL ID：200903053390845474

GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 東脇 正高
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 廣瀬 隆行
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005016065
公開番号（公開出願番号）：WO2006-022453
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得るGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。上記課題は、GaNからなるチャネル層(4)とAlGaNからなる障壁層(6)と含むヘテロ構造を有する電界効果トランジスタであって、トランジスタ素子表面に絶縁膜(10)を有する電界効果トランジスタなどにより解決される。

請求項（抜粋）：

チャネル層と障壁層を含むヘテロ構造を有するGaN系電界効果トランジスタであって、トランジスタ素子表面に絶縁膜を有する電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/318 B ,  H01L29/80 Q ,  H01L21/316 X

Fターム (26件)：

5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03 ,  5F102FA02 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01