半導体集積デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270528
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116979
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】優れた特性の半導体集積デバイスを製造することができる半導体集積デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体集積デバイスの製造において、第1の半導体素子であるHEMT層102を形成する工程よりも以前の工程でドライエッチング、スパッタ等を用いる際にHEMT層102の上に第2の半導体層群であるフォトダイオード作製領域111を堆積した状態を維持しておくことにより、該プロセス工程の影響でHEMT層102の特性が劣化することを防止するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に堆積された第1の半導体層群から形成される第1の半導体素子と該半導体層群の上に積層された第2の半導体層群から形成される第2の半導体素子とを少なくとも有する半導体集積デバイスを、、第2の半導体素子を形成し、しかる後に第1の半導体素子を形成することにより作製する半導体集積デバイスの製造方法において、第1の半導体素子を作製する領域においては第1の半導体層群の上に第2の半導体層群のすべての層或いは第2の半導体層群の一部の層を残した状態で、第2の半導体素子の作製領域に該半導体素子を作製する工程と、第1の半導体素子を作製する工程とを含むことを特徴とする半導体集積デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/15 , H01L 21/06 , H01L 21/8232 , H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/15 A , H01L 27/06 F , H01L 27/14 Z , H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平2-111073
特開平3-293764

審査官引用 (4件)

特開平2-111073
特開平2-111073
特開平3-293764

全件表示

前のページに戻る