特許
J-GLOBAL ID：200903055850674498
半導体受光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280486
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095130
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上にpnp型またはnpn型の半導体積層体が形成されている構成を有するフォトトランジスタ、半導体基板上にpin型またはnip型の半導体積層体またはpn型またはnp型の半導体積層体が形成されている構成を有するフォトダイオ-ドにおいて、外部から入射する光中、光吸収箇所で吸収されずに光吸収箇所を透過する光分を有効に利用して、高い光電変換効率を得る。【構成】 外部から入射する光中、光吸収箇所で吸収されずに光吸収箇所を透過する光分に対する反射層または反射層を兼ねた電極層23を、半導体積層体17の半導体基板11側とは反対側の面または半導体基板の半導体積層体17側とは反対側の面上に、半導体積層体または半導体基板との間で合金化されないように形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、且つ第1の導電型を有する第1の半導体層と、第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2の半導体層と、第1の導電型を有する第3の半導体層とがそれらの順に積層されている構成を有する半導体積層体と、上記第1の半導体層に対する第1の電極層と、上記第3の半導体層に対する第2の電極層とを有し、上記半導体基板の上記半導体積層体側とは反対側の面を光入射面とし、上記半導体積層体の上記半導体基板側とは反対側の面上に、反射層を兼ねた電極層が、上記第2の電極層として、上記半導体積層体との間で合金化することなしに形成されていることを特徴とする半導体受光装置。
引用特許：
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