特許
J-GLOBAL ID：200903068414638332

半導体受光素子及びその製造方法

発明者：
深野 秀樹

深野 秀樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145488
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 屈折型光受光素子又は導波路型光受光素子において、フアイバとの光結合を図る際、容易に高精度で光結合が可能となる光受光素子およぴその製造方法を提供することにある。【解決手段】 光受光層13を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11を設けることにより、該光入射端面11で入射光を屈折させて、前記光受光層13を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子において、該光入射端面11に対向して入射光を導くファイバのガイドとなる溝18を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子において、該光入射端面に対向して入射光を導くファイバのガイドとなる溝を有することを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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