窒化物半導体の評価方法及び評価装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田守 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-166624
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004706
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】窒化物半導体の内部電場を非破壊・非接触に求めることができる窒化物半導体の評価方法及び評価装置を得る。【解決手段】参照信号に同期した音波を窒化物半導体の試料15に照射する。試料15にプローブ光を照射し、試料15で反射又は透過したプローブ光を受光して電気信号に変換する。プローブ光の電気信号を直流成分と交流成分に分離する。交流成分を、参照信号に同期したロックイン増幅器25によりロックイン検出する直流成分を直流電圧計24により計測する。交流成分を直流成分で除算することでプローブ光の変調スペクトルを求める。変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて試料15の内部電場を求める。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

窒化物半導体に音波を照射してピエゾ分極を発生させる工程と、プローブ光を前記窒化物半導体に照射する工程と、前記窒化物半導体で反射又は透過した前記プローブ光の変調スペクトルを測定する工程と、前記変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて前記窒化物半導体の内部電場を求める工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体の評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01N 21/27 , G01N 21/00 , G01N 29/00

FI (4件)：

H01L21/66 L , G01N21/27 B , G01N21/00 B , G01N29/00

Fターム (22件)：

2G047AA08 , 2G047EA12 , 2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059EE20 , 2G059FF04 , 2G059FF20 , 2G059GG01 , 2G059HH02 , 2G059JJ01 , 2G059KK01 , 2G059MM01 , 4M106AA01 , 4M106BA09 , 4M106CA08 , 4M106CA21 , 4M106DH12 , 4M106DH16 , 4M106DH31 , 4M106DH35

引用特許：

出願人引用 (10件)

特許出願2004-316818号公報
U.S. Patent Application 20060094133
U.S. Patent 7,038,768

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審査官引用 (6件)

半導体層の検査方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-218329 出願人：三菱電機株式会社
半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-009515 出願人：三菱電機株式会社
線状波動励起型検査・評価装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-120913 出願人：星宮務

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