特許

J-GLOBAL ID：200903094395154109

GaN系電界効果トランジスタ

発明者： 東脇 正高
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138878
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311537
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)、及び前記絶縁膜上に形成されたオーミック電極を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN又はInGaNからなるチャネル層と、AlGaN又はAlNからなる障壁層とを含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜、および前記絶縁膜上に形成されたオーミック電極を有する電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  C23C 16/34

FI (5件)：

H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  C23C16/34

Fターム (52件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030FA17 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA14 ,  4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104EE02 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ05 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-061561   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-044515   出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-191737   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ