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J-GLOBAL ID：201002218964170892   整理番号：10A1485909

高電力ミクサに対し短ゲート長を持つデュアルゲートALGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

Dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with short gate length for high-power mixers

著者 (8件)： SHIOJIMA K ,  MAKIMURA T ,  MARUYAMA T ,  KOSUGI T ,  SUEMITSU T ,  SHIGEKAWA N ,  HIROKI M ,  YOKOYAMA H
資料名： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3
巻： 3  号： 3  ページ： 469-472  発行年： 2006年 
JST資料番号： O5355A  ISSN： 1610-1634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電力 ,  ミクサ ,  ゲート長 ,  デュアルゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ