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文献
J-GLOBAL ID:201002219233441125   整理番号:10A1012567

AlGaN/GaNから成るヘテロ構造のエッチングされた表面上におけるドナー状態の分布

Distribution of donor states on etched surface of AlGaN/GaN heterostructures
著者 (6件):
資料名:
巻: 108  号:ページ: 063719  発行年: 2010年09月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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AlGaN/GaNを基本とする単一ヘテロ構造において,AlGaNの障壁厚(dAlGaN)に対する電子密度(ns)の依存性を研究した。dAlGaNは,成長の代わりにClを基本とする低パワーの反応性イオンエッチング(RIE)によって制御した。dAlGaNが増大すると,nsだけでなくAlGaNの表面障壁高(eφB)も一定の割合で増加することが分かった。ドナー状態の分布は,二次元電子ガス(2DEG)における電子の源のような高密度で,単一準位を持つ表面ドナー状態を基本とする一般的に考えられているモデルとは可成り異なることが分かった。分布を持つドナー状態の存在は,酸化したAlGaN表面を持つ様々な表面構造に関する第一原理計算によって確認された。ドナー状態は電子数の規則から逸脱し,バンドギャップの上半分に位置する占有された表面状態をもたらす表面領域から発生することが分かった。RIE後に表面上に形成される酸化物によって,表面ドナー状態の分布密度は低下し,最も高い占有準位はAlGaNの伝導帯の底より1~2eV下の領域に拡がることが分かった。これらの状態の密度は2DEGにおけるnsと同程度で,Fermi準位をピン止めするには不充分であることが分かった。また,dAlGaNの増大に伴ってeφBは一定の割合で増加することが分かった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  半導体の格子欠陥 

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