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J-GLOBAL ID：201002274963049825   整理番号：10A1486094

AlGaN/GaN短ゲートHEMTのDCおよびRF特性に与えるエピタキシャル層結晶品質の影響

Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs

著者 (7件)： SHIOJIMA K ,  MAKIMURA T ,  MARUYAMA T ,  SUEMITSU T ,  SHIGEKAWA N ,  HIROKI M ,  YOKOYAMA H
資料名： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6
巻： 3  号： 6  ページ： 2360-2363  発行年： 2006年 
JST資料番号： O5361A  ISSN： 1610-1634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  ゲート ,  HEMT ,  DC ,  RF ,  エピタキシャル層 ,  結晶品質