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J-GLOBAL ID：201002278219335998   整理番号：10A0387065

プロトンポンピングゲート構造による電界効果トランジスタ型水素センサの高機能化

PROTON-PUMPING GATE STRUCTURE FOR A FIELD-EFFECT TRANSISTOR TYPE HYDROGEN SENSOR

著者 (4件)： 山口富治 (岡山大 大学院) ,  假谷正敏 (岡山大 大学院) ,  紀和利彦 (岡山大 大学院) ,  塚田啓二 (岡山大 大学院)
資料名： Chemical Sensors  (Chemical Sensors)
巻： 26  号： Supplement A  ページ： 43-45  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： L3948A  CODEN： KAGSEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： FET型水素センサを含む多くのガスセンサは,長期使用時にはセンサ信号のドリフトが起こるためキャリブレーションが必要となる。本研究では,メンテナンスフリーな水素センサを実現するために,FET型水素センサの新規ゲート感応膜構造(プロトンポンピングゲート構造)について検討を行ったので報告した。プロトンポンピングゲート構造と交流バイアス電圧による変調動作により,センサ信号の自己診断機能を備えたFET型水素センサを実現できることが示された。

シソーラス用語： 陽子 ,  *電子ビームポンピング ,  *電場効果 ,  *トランジスタ ,  *水素 ,  *ガスセンサ ,  FET【トランジスタ】 ,  ドリフト ,  キャリブレーション ,  膜 ,  膜構造 ,  電圧 ,  診断
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  感応膜 ,  高機能化 ,  自己診断 ,  電界効果

分類 (3件)： 計測学一般  (AD01000Q) ,  化学プロセスの測定,監視,計装  (XC02030Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• K. Tsubota, et al., IEEJ Transaction on Sensors and Micromachines, 129, 278(2009).
• K. Tsukada, et al., IEEE Sensors Journal, 7, 1268(2007).
• T. Yamaguchi, et al., Sensors and Actuators B, 133, 538(2008).
• T. Yamaguchi, et al., IEEJ Transaction on Sensors and Micromachines, 129, 110(2009).

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  水素センサ ,  高機能化