Ge/Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si微細加工構造における異方性局所歪の評価と制御

中塚理; 中塚理; 水谷卓也; 望月健太; 酒井朗; 近藤博基; 財満鎭明

文献

J-GLOBAL ID：201002294272901496 整理番号：10A0610201

Ge/Si_1-xGe_x/Si微細加工構造における異方性局所歪の評価と制御

Characterization and Control of Asymmetric Local Strain of Ge/Si_1-xGe_x/Si Microfabricated Structures

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
号： 63 ページ： 209-211 発行年： 2010年05月30日
JST資料番号： G0667A ISSN： 0372-039X CODEN： TOKHA6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

Ge/Si_1-xGe_x/Siヘテロエピタキシャル構造の微細加工によってGe層に伸長歪を加えるとともに局所的に異方性の歪構造を実現する手法を提案し,実証した。Ge/Si_1-xGe_x積層構造を細線幅100または250nmの細線状メサ構造,あるいは一辺200nmの正方形状に微細加工し,X線回折によって歪量を評価した。Si_0.6Ge_0.4層は弾性的歪緩和を起こし,上層に0.34%の一軸性の伸長歪を印加できる事を示した。正方形状微細加工の場合,0.38%の二軸性伸長歪を印加できた。

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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

引用文献 (4件)：

S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Maeda, T. Numata, K. Ikeda, and N. Sugiyama, Mater. Sci. Eng. B135(2006) 250.
O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, in Proc. of IEDM 2007, pp. 719-722.
S. Mochizuki, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Kondo, K. Yukawa, K. Izunome, T. Senda, E. Toyoda, M. Ogawa, and S. Zaima, Semicond. Sci. Tech. 22(1),(2007) S 132.
C. S Smith, Phys. Rev. 94(1953) 42.

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Ge/Si1-xGex/Si微細加工構造における異方性局所歪の評価と制御

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