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J-GLOBAL ID：201002297629443091   整理番号：10A0196817

p型シリコンにおける超高速キャリア・フォノンダイナミクスの観測

Real-Time Observation of Ultrafast Carrier and Phonon Dynamics in p-Type Silicon

著者 (7件)： 加藤景子 (NTT 物性科学基礎研) ,  石澤淳 (NTT 物性科学基礎研) ,  小栗克弥 (NTT 物性科学基礎研) ,  舘野功太 (NTT 物性科学基礎研) ,  俵毅彦 (NTT 物性科学基礎研) ,  後藤秀樹 (NTT 物性科学基礎研) ,  中野秀俊 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 38  号： 2  ページ： 130-135  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンは,デバイスへの利用性が高いことから,キャリア輸送やキャリア光応答特性に関する研究が行なわれている。シリコンの非対称価電子帯のバンド構造に由来する光励起キャリア・フォノンダイナミクスの観測について検討した。p型シリコンに10フェムト秒レーザを照射し,ポンププローブ実験を行なった。シリコンの直接バンドギャップよりも低いエネルギーの光を利用した。時間分解反射率,反射強度の周波数依存性,バンド構造での光遷移などの特性を示した。この結果,k空間上で非等方に分布するキャリアの運動量緩和に由来する反射率の増加が観測された。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *P型半導体 ,  フォノン ,  *電子-フォノン相互作用 ,  パルスレーザ ,  バンドギャップ ,  周波数依存性 ,  輸送現象 ,  応答特性 ,  光ポンピング ,  反射率 ,  *価電子バンド ,  ポンププローブ法 ,  運動量 ,  動力学 ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  光応答 ,  超高速

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

引用文献 (27件)：

• 1) T. Tanaka, A. Harata, and T. Sawada: J. Appl. Phys. 82 (1997) 4033.
• 2) T. Sjodin, C.-M. Li, H. Petek, and H.-L. Dai: Chem. Phys. 251 (2000) 205.
• 3) A. J. Sabbah and D. M. Riffe: Phys. Rev. B 66 (2002) 165217.
• 4) R. Buhleier, G. Lupke, G. Marowsky, Z. Gogolak, and J. Kuhl: Phys. Rev. B 50 (1994) 2425.
• 5) M. V. Dolguikh and R. E. Peale: J. Appl. Phys. 101 (2007) 113716.

タイトルに関連する用語 (2件)： p型シリコン ,  観測