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J-GLOBAL ID：201102228517974952   整理番号：11A0437925

ミリ波応用のためのCat-CVD SiN不動態化を用いたGaNベースのFET

GaN-based FETs using Cat-CVD SiN passivation for millimeter-wave applications

著者 (3件)： HIGASHIWAKI M ,  MIMURA T ,  MATSUI T
資料名： THIN SOLID FILMS
巻： 516  号： 5  ページ： 548-552  発行年： 2008年 
JST資料番号： O6387A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： ミリ波 ,  応用 ,  Cat-CVD ,  SiN ,  不動態化 ,  GaN ,  FET