【請求項1】 窒化ガリウムもしくは窒化インジウムガリウム上に、
RFプラズマにより窒素を含む原料ガスを分解して得た窒素ラジカルを窒素源として用いる分子線エピタキシー成長法により、一般式InxAl1-xN(0.05
IPC (3件):
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 23/08 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/205
, C30B 29/38 C
, C30B 23/08 M
引用特許:
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