特許
J-GLOBAL ID:201103031585784539

窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  廣瀬 隆行
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-078231
公開番号(公開出願番号):特開2005-268495
特許番号:特許第3876323号
出願日: 2004年03月18日
公開日(公表日): 2005年09月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 窒化ガリウムもしくは窒化インジウムガリウム上に、 RFプラズマにより窒素を含む原料ガスを分解して得た窒素ラジカルを窒素源として用いる分子線エピタキシー成長法により、一般式InxAl1-xN(0.05 IPC (3件):
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 C ,  C30B 23/08 M
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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