特許
J-GLOBAL ID:201103052476780903
ヘテロ接合型フォトトランジスタ
発明者:
深野 秀樹
深野 秀樹 について
名寄せID(JGPN) 200901100439531064 ですべてを検索
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高梨 良文
高梨 良文 について
名寄せID(JGPN) 201650000322717440 ですべてを検索
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出願人/特許権者:
日本電信電話株式会社
日本電信電話株式会社 について
名寄せID(JGON) 201551000096622569 ですべてを検索
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代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:
特許公報
出願番号(国際出願番号):
特願平4-096022
公開番号(公開出願番号):
特開平5-275730
特許番号:
特許第3047055号
出願日:
1992年03月24日
公開日(公表日):
1993年10月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半絶縁性半導体基板上にサブコレクタ層としてn型InPを有しかつ前記サブコレクタ層上にIn1-yGayAs(ただし0
IPC (1件):
H01L 31/10
FI (1件):
H01L 31/10 A
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