特許

J-GLOBAL ID：201103077593448610

半導体の特性測定方法

発明者： 加藤 景子 ,  小栗 克弥 ,  中野 秀俊
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-139989
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287712
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。【解決手段】半導体試料52にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で半導体試料52にプローブ光を照射し、半導体試料52から反射されたプローブ光を時間分解測定して生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定し(ステップS100)、測定した減衰定数と、半導体試料52と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して半導体試料52のキャリア極性を判定し(ステップS110)、測定した光学フォノンの周波数を、半導体試料52と同じ元素からなると共に同じキャリア極性を有する半導体における光学フォノンの周波数とキャリア濃度との関係を定めた検量線に適用することにより、半導体試料52のキャリア濃度を導出する(ステップS120)。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で前記半導体にプローブ光を照射し、前記半導体から反射された又は前記半導体を透過したプローブ光を時間分解測定して前記生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定する第1工程と、 前記測定した減衰定数と、前記半導体と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して前記半導体のキャリア極性を判定する第2工程と を少なくとも備えることを特徴とする半導体の特性測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/64

FI (2件)：

H01L21/66 L ,  G01N21/64 B

Fターム (22件)：

2G043AA01 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA03 ,  2G043HA02 ,  2G043HA03 ,  2G043HA07 ,  2G043HA09 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA08 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA01 ,  2G043NA05 ,  2G043NA11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CB01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32