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J-GLOBAL ID：201302219471412054   整理番号：13A1829471

表面活性化接合を用いたSi/Si界面の電気的性質

Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding

著者 (5件)： LIANG J. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN) ,  MIYAZAKI T. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN) ,  MORIMOTO M. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN) ,  NISHIDA S. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 18  ページ： 183703-183703-6  発行年： 2013年11月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *活性化 ,  *界面 ,  酸化層 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *電流電圧特性 ,  *容量電圧特性 ,  アルゴン ,  プラズマ ,  バイアス ,  *キャリア捕獲 ,  *トンネル効果 ,  *接合
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  表面活性化

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面活性化接合 ,  Si ,  界面 ,  電気的性質