文献

J-GLOBAL ID：201302259226929485   整理番号：13A1039570

イオン注入レジストにおける表面硬化層形成とその水素ラジカルによる除去性

著者 (7件)： 河野昭彦 (金沢工大) ,  新井祐 (金沢工大) ,  飯田貴之 (日東分析セ) ,  信田拓哉 (日東分析セ) ,  田川精一 (大阪大 産科研) ,  堀邊英夫 (金沢工大) ,  堀邊英夫 (大阪大 産科研)
資料名： 放射線化学討論会講演要旨集  (Program and Abstract. Annual Meetings of the Japanese Society of Radiation Chemistry)
巻： 54th  ページ： 73-74  発行年： 2011年09月16日 
JST資料番号： L0690A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *レジスト ,  *表面硬化 ,  *表層 ,  *表層構造 ,  *ラジカル ,  *水素 ,  *除去 ,  *変質 ,  膜厚 ,  表面性状 ,  ノボラック ,  二次イオン質量分析 ,  飛行時間法
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  *水素ラジカル

分類 (6件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  放射線による構造と物性の変化一般  (BK16121W) ,  放射線高分子化学  (CG03050S) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  原子とラジカルの反応  (CB06030C)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  レジスト ,  表面硬化層 ,  水素ラジカル