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J-GLOBAL ID：201302275221474329   整理番号：13A1556573

β-Ga₂O₃(010)基板上の空乏モードGa₂O₃金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と素子特性の温度依存性

Depletion-mode Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga₂O₃ (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics

著者 (8件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  KAMIMURA Takafumi (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  HOI WONG Man (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  KRISHNAMURTHY Daivasigamani (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 12  ページ： 123511-123511-4  発行年： 2013年09月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *特性 ,  温度依存性 ,  *酸化ガリウム ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  キャラクタリゼーション ,  電流 ,  電圧 ,  電流密度
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  *素子特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： β-Ga2O3 ,  空乏モード ,  Ga2O3 ,  金属酸化膜半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET ,  素子特性 ,  温度依存性