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J-GLOBAL ID：201302276594040210   整理番号：13A1406553

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強機構

著者 (3件)： 中森一平 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 2 第4分冊  ページ： 687  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  多層 ,  *ヒ化ガリウム ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  サブミリ波 ,  *フォノン ,  *量子光学 ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： LOフォノン ,  *コヒーレントフォノン

分類 (2件)： 量子光学一般  (BD04010X) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  コヒーレント ,  LOフォノン ,  テラヘルツ電磁波 ,  増強