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文献
J-GLOBAL ID:201302289942224782   整理番号:13A1365911

GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長したSi重ドープのInxGa1-xN(x~0.3)におけるIn取込みの著しい抑制

Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x ~ 0.3) grown on GaN/α-Al2O3(0001) template
著者 (4件):
資料名:
巻: 103  号:ページ: 082113-082113-4  発行年: 2013年08月19日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 

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