特許
J-GLOBAL ID：201303086615722480

半導体層の検査方法および装置

発明者：
竹内 日出雄

竹内 日出雄 について

, 
山本 佳嗣

山本 佳嗣 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218329
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035991
特許番号：特許第4777003号
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、 光照射によって半導体層で発生する励起子に特有な反射スペクトルを計測するステップと、 該光学スペクトルのブロードニングファクターを解析することによって、半導体層の表面状態を評価するステップとを含むことを特徴とする半導体層の検査方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 21/66 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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