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J-GLOBAL ID：201402206316516687   整理番号：14A1064741

その場RF-MBE法によるAlN/GaNヘテロ構造上への結晶化AlO_xの成長

Growth of crystallized AlO _x on AlN/GaN heterostructures by in-situ RF-MBE

著者 (4件)： SUGIURA Yohei (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kogakuin Univ., 2665-1 Nakano ...) ,  SUGIURA Yohei (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  HONDA Tohru (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kogakuin Univ., 2665-1 Nakano ...) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 405  ページ： 64-67  発行年： 2014年11月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいタイプの酸化物/窒化物ヘテロ構造システムを探るために,RF-プラズマ分子線エピタクシーを使用して,AlN/GaNヘテロ構造上に結晶化したAlO_x層の成長を行った。AlO_xバッファー層の挿入を(i)150°CでのAk金属蒸着,(ii)酸素プラズマ照射によるアル金属の酸化,(iii)酸化層の800°Cでのアニーリング,の3ステップで行い,結晶AlO_x層をAlN/GaN上に作成した。原子間力顕微鏡によって観測された表面モフォロジーは,AlOxバッファー層が直接窒化物構造上に形成され,AlN層を完全にカバーしたことを示した。バッファー層上に成長したAlO_x最上層は,平坦で滑らかな表面を持っていた。断面透過型電子顕微鏡観測は,800°Cで窒化物構造上に成長したAlO_x薄膜が,完全に結晶化していることを明らかにした。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *素子構造 ,  *酸化アルミニウム ,  バッファ層 ,  原子間力顕微鏡 ,  モルフォロジー ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  断面透過型電子顕微鏡 ,  表面モルフォロジー

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF-MBE ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  結晶化 ,  成長